16SepStruktura vrstvy porézního pole, metoda předběžného potahování, metoda tvorby...Technické implementační prvky: 3. Provedení předkládané technologie poskytují strukturu vrstvy s polem děr, způsob předběžného potahování, způsob vytv
Zobrazit více
16SepStruktura vrstvy s děrovým polem, metoda předběžného nanášení, metoda tvorby ...1. Předkládaná technologie patří do technické oblasti biologické detekce a zejména se týká struktury vrstvy s polem děr, způsobu předběžného potahován
Zobrazit více
16SepNanokompozitní systém a metoda pro výzkum nanomateriálů, technické realizační...Technické implementační prvky: 5. Technický problém, který má tento vynález řešit, je: poskytnout nanometrický integrovaný systém a metodu pro výzkum
Zobrazit více
16SepNanokompozitní systém a metoda pro výzkum nanomateriálů1. Předkládaný vynález se týká oblasti vědecko-výzkumného zařízení v nanovědě na úrovni výzkumu a zejména oblasti integrovaného systému v nanoměřítku
Zobrazit více
16SepStruktura obalu, substrát, způsob balení a implementační prvky technologie pr...Technické implementační prvky: 3. Tato technologie poskytuje obalovou strukturu, substrát a způsob balení, aby se snížilo balicí napětí generované v p
Zobrazit více
16SepStruktura balení, substrát, způsob balení a proces1. Tato technologie se týká oblasti balení čipů a konkrétněji obalových struktur, substrátů a způsobů balení. Základní technika: 2. Mikroelektromechan
Zobrazit více
16SepMEMS mikroohřívací deska na bázi laterálního kompozitního dielektrického film...Technické implementační prvky: 4. S ohledem na výše uvedené technické problémy poskytuje předložený vynález memovou mikro-teplou desku založenou na př
Zobrazit více
16SepDruh MEMS mikro-horké desky na bázi laterálního kompozitního dielektrického f...Druh MEMS mikroohřívací desky na bázi příčného kompozitního dielektrického filmu a způsob jeho výroby technický obor 1. [0001] Předložený vynález se t
Zobrazit více
16SepTechnické realizační prvky metody post-CMOS uvolnění pro citlivou strukturu p...Technické implementační prvky: 5. Aby se vyřešil problém dokončení uvolnění struktury za předpokladu, že bude kompatibilní s CMOS pomocí procesu memů,
Zobrazit více
16SepPrvky technické implementace Prvky metody post-CMOS uvolnění pro struktury ci...Technické implementační prvky: 5. Aby se vyřešil problém dokončení uvolnění struktury za předpokladu, že bude kompatibilní s CMOS pomocí procesu memů,
Zobrazit více
16SepMetoda uvolnění CMOS struktury citlivé na křížové paprsky pro vektorový hydro...Způsob uvolňování CMOS po struktuře citlivé na křížový paprsek pro mem vektorový hydrofon technická oblast 1. Předložený vynález se týká oblasti polov
Zobrazit více
16SepZpůsoby výroby systémů pro provoz mikrofluidních zařízení1. Tato technologie se obecně týká systémů využívajících mikrofluidní zařízení. Tato technologie popisuje mimo jiné systémy pro provozování mikrofluid
Zobrazit více












